ซัมซุงเปิดตัวชิป AI รุ่นใหม่ ดันความจุเพิ่ม 58% รับดีมานด์เพิ่ม
ซัมซุงเปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำ AI รุ่นใหม่ BV-NAND พร้อมเผยต้นแบบ zHBM และ zNAND-O ชูความจุสูงขึ้น 58% รับดีมานด์ AI ที่เติบโตต่อเนื่อง
ซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ เปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำสำหรับปัญญาประดิษฐ์ (AI) รุ่นใหม่เมื่อวันอังคาร (5 ส.ค.) เพื่อรักษาความเป็นผู้นำในตลาดชิปที่กำลังเติบโตอย่างรวดเร็วจากกระแสการใช้งาน AI ทั่วโลก
ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่ที่สุดของโลกเลือกเวที Future of Memory and Storage (FMS) ที่เมืองซานตาคลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย สหรัฐอเมริกา เปิดตัวต้นแบบ V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) ซึ่งใช้โครงสร้างการเชื่อมเวเฟอร์ (Wafer Bonding) แบบใหม่ และมีชั้นหน่วยความจำมากกว่า 400 ชั้น ช่วยเพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลและยกระดับประสิทธิภาพการทำงาน
ซัมซุงระบุว่า เทคโนโลยี BV-NAND สามารถเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำได้ประมาณ 58% เมื่อเทียบกับ V9 NAND รุ่นก่อนหน้า พร้อมเพิ่มประสิทธิภาพในการอ่าน เขียน และรับส่งข้อมูล (Input/Output) เพื่อรองรับระบบ AI ที่ต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลสูงขึ้นและใช้พลังงานอย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้น
ความต้องการหน่วยความจำ NAND เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง หลังการใช้งาน AI ขยายจากการฝึกโมเดลภาษาขนาดใหญ่ (Large Language Models) ไปสู่การประมวลผลคำตอบให้ผู้ใช้งาน ซึ่งต้องใช้พื้นที่จัดเก็บข้อมูลจำนวนมาก
โดยหน่วยความจำ NAND Flash เป็นองค์ประกอบสำคัญสำหรับการจัดเก็บข้อมูล เช่น ภาพถ่าย วิดีโอ และแอปพลิเคชันในสมาร์ตโฟนและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่าง ๆ
นอกจากนี้ ซัมซุงยังเผยต้นแบบ zHBM และ zNAND-O ซึ่งบริษัทระบุว่าเป็นแนวคิดสถาปัตยกรรมหน่วยความจำ 3 มิติ (3D Memory) รุ่นใหม่ของอุตสาหกรรม โดยใช้การซ้อนหน่วยความจำในแนวตั้งเพื่อเพิ่มความจุในการจัดเก็บข้อมูล
แตกต่างจากหน่วยความจำ High Bandwidth Memory (HBM) แบบเดิมที่ติดตั้งอยู่ข้างชิปประมวลผล AI เทคโนโลยี zHBM จะวางหน่วยความจำซ้อนอยู่เหนือชิปเร่งประมวลผล AI (AI Accelerator) โดยตรง ช่วยลดระยะทางการรับส่งข้อมูล เพิ่มแบนด์วิดท์ และลดการใช้พลังงาน
ซัมซุงระบุว่า เทคโนโลยีการเชื่อมเวเฟอร์ดังกล่าวสามารถเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำได้มากกว่า 10 เท่า เมื่อเทียบกับ HBM5 แบบเดิม เพิ่มประสิทธิภาพด้านพลังงานได้ถึง 3 เท่า และลดความต้านทานความร้อนลงมากกว่าครึ่ง
แม้นักลงทุนบางส่วนกังวลว่าความต้องการชิปหน่วยความจำอาจชะลอตัว หากตลาดสมาร์ตโฟนจีนอ่อนแรงลงในระยะยาว แต่นักวิเคราะห์ยังคงเชื่อว่าความต้องการจากภาค AI จะเป็นแรงขับเคลื่อนสำคัญของอุตสาหกรรม
ก่อนหน้านี้ ซัมซุงเปิดเผยว่า สัญญาจัดหาชิประยะยาวกับลูกค้าอาจมีสัดส่วน 60-70% ของยอดขายชิปหน่วยความจำทั้งหมดในอนาคต สะท้อนความต้องการจากตลาด AI ที่ยังแข็งแกร่ง
ด้านนักวิเคราะห์ของ Citi ระบุในรายงานล่าสุดว่า แม้จะมีความกังวลเกี่ยวกับอุปสงค์ของตลาดปลายทาง แต่ปริมาณสต็อกชิปทั้ง DRAM และ NAND ในห่วงโซ่อุปทานยังอยู่ในระดับต่ำกว่าค่าเฉลี่ยในอดีต ซึ่งบ่งชี้ว่าตลาดหน่วยความจำยังได้รับแรงหนุนจากการลงทุนด้าน AI อย่างต่อเนื่อง.
